憶阻器基礎(chǔ)研究測(cè)試方案

高性價(jià)比測(cè)試方案

極端化表征測(cè)試方案

（二）憶阻器性能研究測(cè)試

憶阻器性能研究測(cè)試流程如下：

非易失存儲(chǔ)器性能研究是通過(guò)測(cè)試憶阻器的循環(huán)次數(shù)或耐久力（Endurance）和數(shù)據(jù)保留時(shí)間（Data Retention）來(lái)實(shí)現(xiàn)。在循環(huán)次數(shù)和耐久力測(cè)試中，電阻測(cè)試通常由帶脈沖功能的半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀完成，由于被測(cè)樣品數(shù)量多，耗時(shí)長(zhǎng)，需要編程進(jìn)行自動(dòng)化測(cè)試。極端化表征情況下，SET/ RESET 脈沖由高速任意波發(fā)生器產(chǎn)生。

如果憶阻器被用于神經(jīng)元方面的研究，其性能測(cè)試除了擦寫(xiě)次數(shù)和數(shù)據(jù)保留時(shí)間外，還需要進(jìn)行神經(jīng)突觸阻變動(dòng)力學(xué)測(cè)試。突觸可塑性是大腦記憶和學(xué)習(xí)的神經(jīng)生物學(xué)基礎(chǔ)，有很多種形式。按記憶的時(shí)間長(zhǎng)短可分為短時(shí)程可塑性 (STP)和長(zhǎng)時(shí)程可塑性 (LTP)，其中短時(shí)程可塑性包括雙脈沖抑制 (PPD)、雙脈沖易化 (PPF)、強(qiáng)直后增強(qiáng) (PTP)。此外還有一些其他的可塑性, 如: 放電速率依賴可塑性 (SRDP)、放電時(shí)間依賴可塑性 (STDP)等，它們是突觸進(jìn)行神經(jīng)信號(hào)處理、神經(jīng)計(jì)算的基礎(chǔ)。

憶阻器的導(dǎo)電態(tài)可以用來(lái)表示突觸權(quán)重的變化，通過(guò)改變刺激脈沖電壓的形狀、頻率、持續(xù)時(shí)間等參數(shù)來(lái)模擬不同突觸功能相應(yīng)的神經(jīng)刺激信號(hào)的特點(diǎn)，測(cè)量瞬態(tài)電流可以了解阻變動(dòng)力學(xué)過(guò)程，獲得神經(jīng)形態(tài)特性的調(diào)控方法。同循環(huán)次數(shù)和耐久力測(cè)試相同，需要對(duì)帶脈沖功能的半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀或高速任意波發(fā)生器編程產(chǎn)生相應(yīng)的脈沖序列，進(jìn)行自動(dòng)化測(cè)試。

憶阻器性能研究測(cè)試方案